Продукція > RENESAS > TP65H300G4JSGB-TR
TP65H300G4JSGB-TR

TP65H300G4JSGB-TR RENESAS

4156858.pdf
Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - TP65H300G4JSGB-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 9.2 A, 0.312 ohm, 3.5 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 3.5nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.312ohm
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+148.67 грн
500+108.20 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TP65H300G4JSGB-TR RENESAS

Description: GANFET N-CH 650V 9.2A QFN5X6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 6.5A, 6V, Power Dissipation (Max): 41.6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 400 V.

Інші пропозиції TP65H300G4JSGB-TR за ціною від 108.20 грн до 319.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TP65H300G4JSGB-TR TP65H300G4JSGB-TR Renesas Electronics Corporation datasheet-tp65h300g4jsgb Description: GANFET N-CH 650V 9.2A QFN5X6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 6.5A, 6V
Power Dissipation (Max): 41.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 400 V
на замовлення 3989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+306.86 грн
10+194.46 грн
100+137.31 грн
500+110.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4JSGB-TR TP65H300G4JSGB-TR RENESAS 4156858.pdf Description: RENESAS - TP65H300G4JSGB-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 9.2 A, 0.312 ohm, 3.5 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 3.5nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.312ohm
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+319.03 грн
10+209.74 грн
100+148.67 грн
500+108.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4JSGB-TR TP65H300G4JSGB-TR Renesas Electronics REN_TP65H300G4JSGB_DST_20230412.pdf GaN FETs GAN FET 650V 9.2A QFN5x6
на замовлення 6869 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4JSGB-TR TP65H300G4JSGB-TR Transphorm 007_TP65H300G4JSGB_1V0-3244319.pdf GaN FETs GAN FET 650V 9.2A QFN5x6
на замовлення 6909 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4JSGB-TR datasheet-tp65h300g4jsgb
TP65H300G4JSGB-TR
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: GANFET N-CH 650V 9.2A QFN5X6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 6.5A, 6V
Power Dissipation (Max): 41.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 400 V
на замовлення 3989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+306.86 грн
10+194.46 грн
100+137.31 грн
500+110.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4JSGB-TR 4156858.pdf
TP65H300G4JSGB-TR
Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - TP65H300G4JSGB-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 9.2 A, 0.312 ohm, 3.5 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 3.5nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.312ohm
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+319.03 грн
10+209.74 грн
100+148.67 грн
500+108.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4JSGB-TR REN_TP65H300G4JSGB_DST_20230412.pdf
TP65H300G4JSGB-TR
Виробник: Renesas Electronics
GaN FETs GAN FET 650V 9.2A QFN5x6
на замовлення 6869 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4JSGB-TR 007_TP65H300G4JSGB_1V0-3244319.pdf
TP65H300G4JSGB-TR
Виробник: Transphorm
GaN FETs GAN FET 650V 9.2A QFN5x6
на замовлення 6909 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.