TP65H300G4JSGB-TR RENESAS
Виробник: RENESASDescription: RENESAS - TP65H300G4JSGB-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 9.2 A, 0.312 ohm, 3.5 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.5nC
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.312ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 154.67 грн |
| 500+ | 118.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TP65H300G4JSGB-TR RENESAS
Description: GANFET N-CH 650V 9.2A QFN5X6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 6.5A, 6V, Power Dissipation (Max): 41.6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 400 V.
Інші пропозиції TP65H300G4JSGB-TR за ціною від 101.32 грн до 321.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TP65H300G4JSGB-TR | Виробник : Transphorm |
GaN FETs GAN FET 650V 9.2A QFN5x6 |
на замовлення 6909 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
TP65H300G4JSGB-TR | Виробник : RENESAS |
Description: RENESAS - TP65H300G4JSGB-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 9.2 A, 0.312 ohm, 3.5 nC, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 3.5nC Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: SuperGaN Series productTraceability: No Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.312ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 708 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
TP65H300G4JSGB-TR | Виробник : Transphorm |
Description: GANFET N-CH 650V 9.2A QFN5X6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 6.5A, 6V Power Dissipation (Max): 41.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 400 V |
на замовлення 3899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
TP65H300G4JSGB-TR | Виробник : Transphorm |
Description: GANFET N-CH 650V 9.2A QFN5X6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 6.5A, 6V Power Dissipation (Max): 41.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |