Продукція > TRANSPHORM > TP65H300G4LSG-TR
TP65H300G4LSG-TR

TP65H300G4LSG-TR Transphorm

TP65H300G4LSG_v1.2-2.pdf
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 21W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 5A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-PowerDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+124.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TP65H300G4LSG-TR Transphorm

Description: GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 8 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Vgs (Max): ±18V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA, Power Dissipation (Max): 21W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 5A, 8V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: GaNFET (Gallium Nitride), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 3-PowerDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції TP65H300G4LSG-TR за ціною від 109.39 грн до 351.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TP65H300G4LSG-TR TP65H300G4LSG-TR Виробник : RENESAS 4156859.pdf Description: RENESAS - TP65H300G4LSG-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 6.5 A, 0.312 ohm, 9.6 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 9.6nC
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.312ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+156.07 грн
500+137.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4LSG-TR TP65H300G4LSG-TR Виробник : Transphorm REN_TP65H300G4LSG_DST_20240813-1838764.pdf GaN FETs 650V, 240mOhm
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+303.19 грн
10+207.52 грн
100+133.07 грн
500+114.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4LSG-TR TP65H300G4LSG-TR Виробник : Renesas Electronics TP65H300G4LSG_v1.2-2.pdf GaN FETs 650V, 240mOhm
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+333.27 грн
10+221.94 грн
100+137.25 грн
500+120.53 грн
1000+116.35 грн
3000+109.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4LSG-TR TP65H300G4LSG-TR Виробник : RENESAS 4156859.pdf Description: RENESAS - TP65H300G4LSG-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 6.5 A, 0.312 ohm, 9.6 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 9.6nC
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.312ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+343.83 грн
10+217.03 грн
100+156.07 грн
500+137.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4LSG-TR TP65H300G4LSG-TR Виробник : Transphorm TP65H300G4LSG_v1.2-2.pdf Description: GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 21W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 5A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-PowerDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+351.15 грн
10+217.76 грн
100+155.02 грн
500+120.24 грн
1000+114.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.