Продукція > RENESAS > TP65H480G4JSG-TR
TP65H480G4JSG-TR

TP65H480G4JSG-TR RENESAS

datasheet-tp65h480g4jsg Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - TP65H480G4JSG-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 3.6 A, 0.56 ohm, 9 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 9nC
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.56ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+114.96 грн
500+93.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TP65H480G4JSG-TR RENESAS

Description: GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.4A, 8V, Power Dissipation (Max): 13.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA, Supplier Device Package: 3-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, Vgs (Max): ±18V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V.

Інші пропозиції TP65H480G4JSG-TR за ціною від 33.61 грн до 286.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TP65H480G4JSG-TR TP65H480G4JSG-TR Виробник : Renesas Electronics REN_TP65H480G4JSG_DST_20251121.pdf GaN FETs 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
на замовлення 1675 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.68 грн
10+81.17 грн
100+52.76 грн
500+41.93 грн
1000+39.55 грн
4000+33.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H480G4JSG-TR TP65H480G4JSG-TR Виробник : RENESAS datasheet-tp65h480g4jsg Description: RENESAS - TP65H480G4JSG-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 3.6 A, 0.56 ohm, 9 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 9nC
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.56ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+143.49 грн
10+128.82 грн
100+114.96 грн
500+93.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H480G4JSG-TR TP65H480G4JSG-TR Виробник : Renesas Electronics Corporation datasheet-tp65h480g4jsg Description: GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.4A, 8V
Power Dissipation (Max): 13.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
на замовлення 1119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.44 грн
10+89.41 грн
100+60.46 грн
500+45.09 грн
1000+41.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H480G4JSG-TR TP65H480G4JSG-TR Виробник : Transphorm REN_TP65H480G4JSG_DST_20230912-1920428.pdf GaN FETs 650V, 480mOhm
на замовлення 3113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+286.98 грн
10+188.05 грн
25+162.83 грн
100+117.40 грн
500+104.12 грн
1000+103.43 грн
2000+96.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H480G4JSG-TR TP65H480G4JSG-TR Виробник : Renesas Electronics Corporation datasheet-tp65h480g4jsg Description: GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.4A, 8V
Power Dissipation (Max): 13.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.