Продукція > RENESAS > TP65H480G4JSG-TR
TP65H480G4JSG-TR

TP65H480G4JSG-TR RENESAS

4156861.pdf
Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - TP65H480G4JSG-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 3.6 A, 0.56 ohm, 9 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 9nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.56ohm
на замовлення 921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+116.52 грн
500+92.53 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TP65H480G4JSG-TR RENESAS

Description: GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.4A, 8V, Power Dissipation (Max): 13.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA, Supplier Device Package: 3-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, Vgs (Max): ±18V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V.

Інші пропозиції TP65H480G4JSG-TR за ціною від 41.08 грн до 150.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TP65H480G4JSG-TR TP65H480G4JSG-TR Renesas Electronics Corporation datasheet-tp65h480g4jsg Description: GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.4A, 8V
Power Dissipation (Max): 13.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
на замовлення 1119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.91 грн
10+88.87 грн
100+60.07 грн
500+44.80 грн
1000+41.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H480G4JSG-TR TP65H480G4JSG-TR RENESAS 4156861.pdf Description: RENESAS - TP65H480G4JSG-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 3.6 A, 0.56 ohm, 9 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 9nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.56ohm
на замовлення 921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+150.27 грн
10+133.40 грн
100+116.52 грн
500+92.53 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H480G4JSG-TR TP65H480G4JSG-TR Renesas Electronics REN_TP65H480G4JSG_DST_20251121.pdf GaN FETs 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H480G4JSG-TR TP65H480G4JSG-TR Transphorm REN_TP65H480G4JSG_DST_20230912-1920428.pdf GaN FETs 650V, 480mOhm
на замовлення 3113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H480G4JSG-TR datasheet-tp65h480g4jsg
TP65H480G4JSG-TR
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.4A, 8V
Power Dissipation (Max): 13.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
на замовлення 1119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+144.91 грн
10+88.87 грн
100+60.07 грн
500+44.80 грн
1000+41.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H480G4JSG-TR 4156861.pdf
TP65H480G4JSG-TR
Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - TP65H480G4JSG-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 3.6 A, 0.56 ohm, 9 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 9nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.56ohm
на замовлення 921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+150.27 грн
10+133.40 грн
100+116.52 грн
500+92.53 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H480G4JSG-TR REN_TP65H480G4JSG_DST_20251121.pdf
TP65H480G4JSG-TR
Виробник: Renesas Electronics
GaN FETs 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H480G4JSG-TR REN_TP65H480G4JSG_DST_20230912-1920428.pdf
TP65H480G4JSG-TR
Виробник: Transphorm
GaN FETs 650V, 480mOhm
на замовлення 3113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.