TP70H300G4JSGB-TR RENESAS
Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - TP70H300G4JSGB-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 8 A, 0.312 ohm, 5.4 nC, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.4nC
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.312ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 429.13 грн |
| 10+ | 291.71 грн |
| 100+ | 222.60 грн |
| 500+ | 184.31 грн |
| 1000+ | 155.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TP70H300G4JSGB-TR RENESAS
Description: RENESAS - TP70H300G4JSGB-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 8 A, 0.312 ohm, 5.4 nC, QFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 5.4nC, Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: SuperGaN Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.312ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції TP70H300G4JSGB-TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TP70H300G4JSGB-TR | Renesas Electronics |
GaN FETs 700V, 300mohm GaN FET in 5x6 PQFN |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. |
| TP70H300G4JSGB-TR |
|
Виробник: Renesas Electronics
GaN FETs 700V, 300mohm GaN FET in 5x6 PQFN
GaN FETs 700V, 300mohm GaN FET in 5x6 PQFN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.