Продукція > RENESAS > TP70H480G4JSG-TR
TP70H480G4JSG-TR

TP70H480G4JSG-TR RENESAS

RNCC-S-A0026422878-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - TP70H480G4JSG-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 5 A, 0.56 ohm, 5.2 nC, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.2nC
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.56ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+74.21 грн
13+64.87 грн
100+53.81 грн
500+44.76 грн
1000+40.48 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TP70H480G4JSG-TR RENESAS

Description: 700V, 480MOHM GAN FET IN 5X6 PQF, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 2-PowerTSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C, Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3A, 6V, Power Dissipation (Max): 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA, Supplier Device Package: 3-PQFN (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 400 V.

Інші пропозиції TP70H480G4JSG-TR за ціною від 41.97 грн до 152.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TP70H480G4JSG-TR TP70H480G4JSG-TR Виробник : Renesas Electronics Corporation tp70h480g4jsgb-datasheet?srsltid=AfmBOop33sRkls4qMhWJtdOLQrobOtFleYwHoKNJAavSYJhFpajMrZ5G Description: 700V, 480MOHM GAN FET IN 5X6 PQF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3A, 6V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 400 V
на замовлення 4992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.06 грн
10+93.44 грн
100+63.27 грн
500+47.26 грн
1000+43.37 грн
2000+41.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TP70H480G4JSG-TR TP70H480G4JSG-TR Виробник : Renesas Electronics Corporation tp70h480g4jsgb-datasheet?srsltid=AfmBOop33sRkls4qMhWJtdOLQrobOtFleYwHoKNJAavSYJhFpajMrZ5G Description: 700V, 480MOHM GAN FET IN 5X6 PQF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3A, 6V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP70H480G4JSG-TR TP70H480G4JSG-TR Виробник : Renesas Electronics REN_TP65H480G4JSG_DST_20230912-3536750.pdf GaN FETs 700V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.