TP70H480G4JSGB-TR RENESAS
Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - TP70H480G4JSGB-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 5 A, 0.56 ohm, 5.2 nC, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.2nC
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.56ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 317.43 грн |
| 500+ | 264.16 грн |
| 1000+ | 225.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TP70H480G4JSGB-TR RENESAS
Description: RENESAS - TP70H480G4JSGB-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 5 A, 0.56 ohm, 5.2 nC, QFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 5.2nC, Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: SuperGaN Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.56ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції TP70H480G4JSGB-TR за ціною від 225.24 грн до 437.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TP70H480G4JSGB-TR | RENESAS |
Description: RENESAS - TP70H480G4JSGB-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 5 A, 0.56 ohm, 5.2 nC, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 5.2nC Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: SuperGaN Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.56ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3946 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| TP70H480G4JSGB-TR |
|
Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - TP70H480G4JSGB-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 5 A, 0.56 ohm, 5.2 nC, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.2nC
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.56ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: RENESAS - TP70H480G4JSGB-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 5 A, 0.56 ohm, 5.2 nC, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.2nC
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.56ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 437.97 грн |
| 10+ | 383.32 грн |
| 100+ | 317.43 грн |
| 500+ | 264.16 грн |
| 1000+ | 225.24 грн |