Продукція > RENESAS > TP70H480G4JSGB-TR
TP70H480G4JSGB-TR

TP70H480G4JSGB-TR RENESAS


RNCC-S-A0026422877-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - TP70H480G4JSGB-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 5 A, 0.56 ohm, 5.2 nC, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.2nC
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.56ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3946 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+321.07 грн
500+267.19 грн
1000+227.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TP70H480G4JSGB-TR RENESAS

Description: RENESAS - TP70H480G4JSGB-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 5 A, 0.56 ohm, 5.2 nC, QFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 5.2nC, Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: SuperGaN Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.56ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції TP70H480G4JSGB-TR за ціною від 227.83 грн до 443.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TP70H480G4JSGB-TR TP70H480G4JSGB-TR Виробник : RENESAS RNCC-S-A0026422877-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: RENESAS - TP70H480G4JSGB-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 5 A, 0.56 ohm, 5.2 nC, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.2nC
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.56ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+443.00 грн
10+387.73 грн
100+321.07 грн
500+267.19 грн
1000+227.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TP70H480G4JSGB-TR TP70H480G4JSGB-TR Виробник : Renesas Electronics REN_TP65H480G4JSGB_DST_20231107-3536717.pdf GaN FETs 700V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.