Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TP86R203NL,LQ
TP86R203NL,LQ

TP86R203NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

TP86R203NL_datasheet_en_20140225.pdf?did=14088&prodName=TP86R203NL Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 30V 19A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+24.40 грн
5000+22.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TP86R203NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N CH 30V 19A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA, Supplier Device Package: 8-SOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V.

Інші пропозиції TP86R203NL,LQ за ціною від 23.69 грн до 78.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TP86R203NL,LQ TP86R203NL,LQ Виробник : Toshiba TP86R203NL_datasheet_en_20140225-1150670.pdf MOSFETs N-Ch DTMOS VII-H 1.9W 1050pF 19A 30V
на замовлення 4931 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+67.03 грн
10+53.89 грн
100+36.56 грн
250+35.61 грн
500+30.53 грн
1000+25.16 грн
2500+23.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TP86R203NL,LQ TP86R203NL,LQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TP86R203NL_datasheet_en_20140225.pdf?did=14088&prodName=TP86R203NL Description: MOSFET N CH 30V 19A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V
на замовлення 13055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.79 грн
10+50.88 грн
100+35.31 грн
500+26.56 грн
1000+24.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TP86R203NL,LQ TP86R203NL,LQ Виробник : Toshiba 1497tp86r203nl_datasheet_en_20140225.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin SOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.