TPAU3J S1G Taiwan Semiconductor Corporation
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE AVALANCHE 600V 3A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.88 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 29.24 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
1500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPAU3J S1G Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE AVALANCHE 600V 3A TO277A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Technology: Avalanche, Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: TO-277A (SMPC), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.88 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V.
Інші пропозиції TPAU3J S1G за ціною від 35.68 грн до 117.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TPAU3J S1G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE AVALANCHE 600V 3A TO277A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: TO-277A (SMPC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.88 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
на замовлення 8842 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| TPAU3J S1G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE AVALANCHE 600V 3A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.88 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Description: DIODE AVALANCHE 600V 3A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.88 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 8842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 117.57 грн |
| 10+ | 71.86 грн |
| 100+ | 48.18 грн |
| 500+ | 35.68 грн |