Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TPCP8107,LF
TPCP8107,LF

TPCP8107,LF Toshiba Semiconductor and Storage

datasheet_en_20160223.pdf?did=13672 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 40V 8A PS-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: PS-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.25 грн
10+43.54 грн
100+28.57 грн
500+20.75 грн
1000+18.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPCP8107,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET P-CH 40V 8A PS-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: PS-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): +10V, -20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 10 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції TPCP8107,LF за ціною від 16.92 грн до 72.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPCP8107,LF TPCP8107,LF Виробник : Toshiba TPCP8107_datasheet_en_20160223-1649812.pdf MOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR PS-8 V=-40 PD=2.01W F=1MHZ
на замовлення 26897 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.75 грн
10+46.53 грн
100+27.28 грн
250+27.21 грн
500+21.41 грн
1000+19.47 грн
3000+16.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPCP8107,LF Виробник : Toshiba tpcp8107_datasheet_en_20160223.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 8A 8-Pin PS T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPCP8107,LF Виробник : Toshiba tpcp8107_datasheet_en_20160223.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 8A 8-Pin PS T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPCP8107,LF TPCP8107,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20160223.pdf?did=13672 Description: MOSFET P-CH 40V 8A PS-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: PS-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.