TPH1110FNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 250V 10A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 170.10 грн |
| 10+ | 104.76 грн |
| 50+ | 79.29 грн |
| 100+ | 66.71 грн |
| 500+ | 53.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPH1110FNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 250V 10A 8SOP, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerVDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції TPH1110FNH,L1Q
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
TPH1110FNH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 250V 10A 8SOPInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
TPH1110FNH,L1Q | Toshiba |
MOSFETs X35PBF Power MOSFET Transistr95ohm250V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| TPH1110FNH,L1Q | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 15A 8-Pin SOP Advance T/R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. |
| TPH1110FNH,L1Q |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 250V 10A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET N-CH 250V 10A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TPH1110FNH,L1Q |
![]() |
Виробник: Toshiba
MOSFETs X35PBF Power MOSFET Transistr95ohm250V
MOSFETs X35PBF Power MOSFET Transistr95ohm250V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TPH1110FNH,L1Q |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 250V 15A 8-Pin SOP Advance T/R
Trans MOSFET N-CH Si 250V 15A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.



