| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 153.16 грн |
| 10+ | 100.38 грн |
| 100+ | 59.42 грн |
| 500+ | 47.97 грн |
| 1000+ | 45.81 грн |
| 2500+ | 45.60 грн |
| 5000+ | 39.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPH2R306NH1,LQ Toshiba
Description: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 170W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції TPH2R306NH1,LQ за ціною від 47.47 грн до 155.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TPH2R306NH1,LQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 30 V |
на замовлення 6898 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|