Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TPH2R306NH1,LQ
TPH2R306NH1,LQ

TPH2R306NH1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

TPH2R306NH1_datasheet_en_20201109.pdf?did=69034&prodName=TPH2R306NH1
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 30 V
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+178.63 грн
10+110.54 грн
100+75.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH2R306NH1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 170W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції TPH2R306NH1,LQ

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TPH2R306NH1,LQ TPH2R306NH1,LQ Toshiba EA39320DEF365DA283D7314F3CD5FAC2BE1207229728B3B3DA07AC76D260D3F9.pdf MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADV PD=170W F=1MHZ
на замовлення 814 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NH1,LQ EA39320DEF365DA283D7314F3CD5FAC2BE1207229728B3B3DA07AC76D260D3F9.pdf
TPH2R306NH1,LQ
Виробник: Toshiba
MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADV PD=170W F=1MHZ
на замовлення 814 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.