TPH2R70AR5,LQ

TPH2R70AR5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage


TPH2R70AR5_datasheet_en_20250425.pdf?did=162761&prodName=TPH2R70AR5
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N-CH MOSFET, 100 V, 0.0027 OHM@1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+48.25 грн
10000+44.69 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH2R70AR5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: N-CH MOSFET, 100 V, 0.0027 OHM@1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 190A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V.

Інші пропозиції TPH2R70AR5,LQ за ціною від 51.34 грн до 175.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPH2R70AR5,LQ TPH2R70AR5,LQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R70AR5_datasheet_en_20250425.pdf?did=162761&prodName=TPH2R70AR5 Description: N-CH MOSFET, 100 V, 0.0027 OHM@1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
на замовлення 13551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+175.70 грн
10+108.84 грн
100+74.28 грн
500+55.85 грн
1000+51.40 грн
2000+51.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.