Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TPH9R00CQH,LQ
TPH9R00CQH,LQ

TPH9R00CQH,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=70667&prodName=TPH9R00CQH Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UMOS10 SOP-ADV(N) 150V 9MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 75 V
на замовлення 3442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+183.66 грн
10+122.07 грн
100+85.96 грн
500+66.94 грн
1000+59.82 грн
2000+57.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH9R00CQH,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: UMOS10 SOP-ADV(N) 150V 9MOHM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 32A, 10V, Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 210W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 75 V.

Інші пропозиції TPH9R00CQH,LQ за ціною від 55.84 грн до 188.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPH9R00CQH,LQ TPH9R00CQH,LQ Виробник : Toshiba TPH9R00CQH_datasheet_en_20210316-3043965.pdf MOSFETs
на замовлення 12818 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+188.40 грн
10+128.43 грн
25+109.42 грн
100+78.48 грн
500+63.61 грн
1000+56.67 грн
2500+55.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH9R00CQH,LQ TPH9R00CQH,LQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70667&prodName=TPH9R00CQH Description: UMOS10 SOP-ADV(N) 150V 9MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.