TPM1R908QM,LQ(T TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TPM1R908QM,LQ(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 238 A, 1900 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 238A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 250W, SVHC: Lead (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: SOP Advance, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOS X-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm.