Продукція > TOSHIBA > TPM1R908QM,LQ(T
TPM1R908QM,LQ(T

TPM1R908QM,LQ(T TOSHIBA

docget.jsp?did=162575&prodName=TPM1R908QM Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPM1R908QM,LQ(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 238 A, 1900 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 238A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOS X-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 4725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+302.55 грн
10+199.99 грн
100+156.40 грн
500+123.80 грн
1000+106.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPM1R908QM,LQ(T TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TPM1R908QM,LQ(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 238 A, 1900 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 238A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: SOP Advance, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOS X-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).