TPMR10J S1G Taiwan Semiconductor Corporation
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 10A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 140pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Description: DIODE GEN PURP 600V 10A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 140pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 2160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 68.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPMR10J S1G Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 10A TO277A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 40 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 140pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-277A (SMPC), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V.
Інші пропозиції TPMR10J S1G за ціною від 53.40 грн до 227.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TPMR10J S1G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
 Rectifiers 40ns, 10A, 600V, Super Fast Recovery Rectifier |
на замовлення 974 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
TPMR10J S1G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 600V 10A TO277A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 40 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 140pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-277A (SMPC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
на замовлення 2672 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TPMR10J S1G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Diode Switching 600V 10A 3-Pin(2+Tab) SMPC T/R |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |