Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPN13008NH Toshiba
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; Idm: 98A; 42W; TSON8, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 80V, Drain current: 40A, Pulsed drain current: 98A, Power dissipation: 42W, Case: TSON8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 13.3mΩ, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції TPN13008NH
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| TPN13008NH,L1Q(M | TOSHIBA |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; Idm: 98A; 42W; TSON8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 40A Pulsed drain current: 98A Power dissipation: 42W Case: TSON8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.3mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. |
| TPN13008NH,L1Q(M |
|
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; Idm: 98A; 42W; TSON8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 98A
Power dissipation: 42W
Case: TSON8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; Idm: 98A; 42W; TSON8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 98A
Power dissipation: 42W
Case: TSON8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.