
TPS1100D Texas Instruments
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
268+ | 45.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPS1100D Texas Instruments
Description: MOSFET P-CH 15V 1.6A 8SOIC, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 791mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V, Vgs (Max): +2V, -15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.45 nC @ 10 V.
Інші пропозиції TPS1100D за ціною від 42.27 грн до 125.96 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TPS1100D | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
TPS1100D | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
TPS1100D | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
TPS1100D | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
на замовлення 825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
TPS1100D | Виробник : Texas Instruments |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 791mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V Vgs (Max): +2V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.45 nC @ 10 V |
на замовлення 7680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
TPS1100D | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
на замовлення 825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
TPS1100D | Виробник : Texas Instruments |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 791mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V Vgs (Max): +2V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.45 nC @ 10 V |
на замовлення 346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
TPS1100D | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
на замовлення 2828 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
TPS1100D | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -15V; -0.72A; Idm: 7A; SO8; ESD Case: SO8 Drain-source voltage: -15V Drain current: -0.72A On-state resistance: 0.18Ω Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of package: tube Version: ESD Gate charge: 5.45nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±15V Pulsed drain current: 7A Mounting: SMD |
на замовлення 66 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
TPS1100D | Виробник : TI |
![]() |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
![]() |
TPS1100D | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
товару немає в наявності |