TPS1100D Texas Instruments
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 268+ | 54.78 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
268 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPS1100D Texas Instruments
Description: MOSFET P-CH 15V 1.6A 8SOIC, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 791mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V, Vgs (Max): +2V, -15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.45 nC @ 10 V.
Інші пропозиції TPS1100D за ціною від 54.78 грн до 276.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TPS1100D | Texas Instruments |
 Description: MOSFET P-CH 15V 1.6A 8SOICPackaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 791mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V Vgs (Max): +2V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.45 nC @ 10 V |
на замовлення 7680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
TPS1100D | Texas Instruments |
Trans MOSFET P-CH Si 15V 1.6A 8-Pin SOIC Tube |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
TPS1100D | Texas Instruments |
Trans MOSFET P-CH Si 15V 1.6A 8-Pin SOIC Tube |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
TPS1100D | Texas Instruments |
Trans MOSFET P-CH Si 15V 1.6A 8-Pin SOIC Tube |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
TPS1100D | Texas Instruments |
Trans MOSFET P-CH Si 15V 1.6A 8-Pin SOIC Tube |
на замовлення 825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
TPS1100D | Texas Instruments |
Description: MOSFET P-CH 15V 1.6A 8SOIC Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 791mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V Vgs (Max): +2V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.45 nC @ 10 V |
на замовлення 346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
TPS1100D | TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -15V; -0.72A; Idm: 7A; SO8; ESD Mounting: SMD Pulsed drain current: 7A Gate charge: 5.45nC Polarisation: unipolar Version: ESD Drain current: -0.72A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -15V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±15V Kind of package: tube Case: SO8 On-state resistance: 0.18Ω |
на замовлення 61 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
TPS1100D | Texas Instruments |
MOSFETs MOSFET 10ns RT A 595 -TPS1100DR A 595-TP A 595-TPS1100DR |
на замовлення 2344 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| TPS1100D |
|
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET P-CH 15V 1.6A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 791mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V
Vgs (Max): +2V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.45 nC @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 15V 1.6A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 791mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V
Vgs (Max): +2V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.45 nC @ 10 V
на замовлення 7680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 360+ | 60.80 грн |
| TPS1100D |
|
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET P-CH Si 15V 1.6A 8-Pin SOIC Tube
Trans MOSFET P-CH Si 15V 1.6A 8-Pin SOIC Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 75+ | 67.45 грн |
| TPS1100D |
|
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET P-CH Si 15V 1.6A 8-Pin SOIC Tube
Trans MOSFET P-CH Si 15V 1.6A 8-Pin SOIC Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 218+ | 67.45 грн |
| TPS1100D |
|
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET P-CH Si 15V 1.6A 8-Pin SOIC Tube
Trans MOSFET P-CH Si 15V 1.6A 8-Pin SOIC Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 72.59 грн |
| 15+ | 54.78 грн |
| TPS1100D |
|
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET P-CH Si 15V 1.6A 8-Pin SOIC Tube
Trans MOSFET P-CH Si 15V 1.6A 8-Pin SOIC Tube
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 75+ | 82.58 грн |
| 150+ | 82.43 грн |
| 300+ | 81.05 грн |
| 525+ | 66.37 грн |
| TPS1100D |
|
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET P-CH 15V 1.6A 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 791mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V
Vgs (Max): +2V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.45 nC @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 15V 1.6A 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 791mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V
Vgs (Max): +2V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.45 nC @ 10 V
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 88.87 грн |
| 75+ | 68.62 грн |
| 150+ | 56.45 грн |
| TPS1100D |
|
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -15V; -0.72A; Idm: 7A; SO8; ESD
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 7A
Gate charge: 5.45nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: -0.72A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -15V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±15V
Kind of package: tube
Case: SO8
On-state resistance: 0.18Ω
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -15V; -0.72A; Idm: 7A; SO8; ESD
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 7A
Gate charge: 5.45nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: -0.72A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -15V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±15V
Kind of package: tube
Case: SO8
On-state resistance: 0.18Ω
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 121.61 грн |
| 5+ | 101.03 грн |
| 11+ | 89.15 грн |
| 30+ | 84.05 грн |
| TPS1100D |
|
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs MOSFET 10ns RT A 595 -TPS1100DR A 595-TP A 595-TPS1100DR
MOSFETs MOSFET 10ns RT A 595 -TPS1100DR A 595-TP A 595-TPS1100DR
на замовлення 2344 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 276.49 грн |
| 10+ | 129.78 грн |
| 75+ | 92.54 грн |
| 525+ | 82.01 грн |