Продукція > TEXAS INSTRUMENTS > TPS1100DR
TPS1100DR

TPS1100DR Texas Instruments

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Ftps1100 Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET P-CH 15V 1.6A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 791mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V
Vgs (Max): +2V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.45 nC @ 10 V
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
368+65.26 грн
Мінімальне замовлення: 368
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPS1100DR Texas Instruments

Description: MOSFET P-CH 15V 1.6A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 791mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V, Vgs (Max): +2V, -15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.45 nC @ 10 V.

Інші пропозиції TPS1100DR за ціною від 50.76 грн до 131.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPS1100DR TPS1100DR Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Ftps1100 MOSFETs Single P-Ch Enh-Mode MOSFET A 595-TPS1100D
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.32 грн
10+106.60 грн
100+72.02 грн
500+60.91 грн
1000+50.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPS1100DR Виробник : TI suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Ftps1100 SO-8
на замовлення 822 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPS1100DR TPS1100DR Виробник : Texas Instruments getliterature.pdf Trans MOSFET P-CH Si 15V 1.6A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPS1100DR TPS1100DR Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Ftps1100 Trans MOSFET P-CH Si 15V 1.6A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPS1100DR TPS1100DR Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Ftps1100 Trans MOSFET P-CH Si 15V 1.6A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPS1100DR TPS1100DR Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Ftps1100 Description: MOSFET P-CH 15V 1.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 791mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V
Vgs (Max): +2V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.45 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.