TPS1100PWR Texas Instruments
Виробник: Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 15V 1.27A 8TSSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.27A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 504mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V
Vgs (Max): +2V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.45 nC @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 429+ | 50.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPS1100PWR Texas Instruments
Description: MOSFET P-CH 15V 1.27A 8TSSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.27A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 504mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-TSSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V, Vgs (Max): +2V, -15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.45 nC @ 10 V.
Інші пропозиції TPS1100PWR за ціною від 50.94 грн до 50.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TPS1100PWR | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET P-CH 15V 1.27A 8TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.27A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 504mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V Vgs (Max): +2V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.45 nC @ 10 V |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
TPS1100PWR | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET P-CH 15V 1.27A 8TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.27A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 504mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V Vgs (Max): +2V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.45 nC @ 10 V |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||
| TPS1100PWR | Виробник : TI |
|
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
| TPS1100PWR | Виробник : TI |
10+ |
на замовлення 39 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
 |
TPS1100PWR | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET P-CH Si 15V 1.27A 8-Pin TSSOP T/R |
товар відсутній |
|||||
 |
TPS1100PWR | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET P-CH Si 15V 1.27A 8-Pin TSSOP T/R |
товар відсутній |
|||||
|
|
TPS1100PWR | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET P-CH Si 15V 1.27A 8-Pin TSSOP T/R |
товар відсутній |
|||||
 |
TPS1100PWR | Виробник : Texas Instruments |
MOSFET NPN Enh Mode |
товар відсутній |