TPS1101PWR Texas Instruments
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET P-CH 15V 2.18A 16TSSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V
Vgs (Max): +2V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.25 nC @ 10 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPS1101PWR Texas Instruments
Description: MOSFET P-CH 15V 2.18A 16TSSOP, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR), Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.25 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V, Vgs (Max): +2V, -15V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 16-TSSOP, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.18A (Ta), FET Type: P-Channel.
Інші пропозиції TPS1101PWR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| TPS1101PWR |
|
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |


