TPS1120D Texas Instruments
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 840mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.17A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.45nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPS1120D Texas Instruments
Description: MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8SOIC, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 840mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 15V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.17A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.45nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC.
Інші пропозиції TPS1120D за ціною від 114.31 грн до 206.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TPS1120D | Texas Instruments |
Trans MOSFET P-CH Si 15V 1.17A 8-Pin SOIC Tube |
на замовлення 375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
TPS1120D | TEXAS INSTRUMENTS |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -15V; -0.53A; Idm: 7A; SO8; ESD Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: tube Pulsed drain current: 7A Gate charge: 5.45nC Polarisation: unipolar Version: ESD Drain current: -0.53A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -15V Type of transistor: P-MOSFET x2 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 0.18Ω |
на замовлення 75 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||
 |
TPS1120D | Texas Instruments |
MOSFETs Dual P-Ch Enh-Mode M OSFET A 595-TPS1120 A 595-TPS1120DR |
на замовлення 624 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TPS1120D | TI |
05+ |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| TPS1120D |
|
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET P-CH Si 15V 1.17A 8-Pin SOIC Tube
Trans MOSFET P-CH Si 15V 1.17A 8-Pin SOIC Tube
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 75+ | 115.93 грн |
| 300+ | 114.31 грн |
| TPS1120D |
|
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -15V; -0.53A; Idm: 7A; SO8; ESD
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 7A
Gate charge: 5.45nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: -0.53A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -15V
Type of transistor: P-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.18Ω
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -15V; -0.53A; Idm: 7A; SO8; ESD
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 7A
Gate charge: 5.45nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: -0.53A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -15V
Type of transistor: P-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.18Ω
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 206.03 грн |
| 10+ | 151.53 грн |
| 75+ | 118.51 грн |
| TPS1120D |
|
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs Dual P-Ch Enh-Mode M OSFET A 595-TPS1120 A 595-TPS1120DR
MOSFETs Dual P-Ch Enh-Mode M OSFET A 595-TPS1120 A 595-TPS1120DR
на замовлення 624 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)