TPS1120D Texas Instruments
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 75+ | 80.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPS1120D Texas Instruments
Description: MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8SOIC, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 840mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 15V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.17A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.45nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC.
Інші пропозиції TPS1120D за ціною від 71.56 грн до 198.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TPS1120D | Виробник : Texas Instruments |
 Trans MOSFET P-CH Si 15V 1.17A 8-Pin SOIC Tube |
на замовлення 375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TPS1120D | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8SOIC Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 840mW Drain to Source Voltage (Vdss): 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.17A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.45nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
на замовлення 2670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TPS1120D | Виробник : Texas Instruments |
MOSFETs Dual P-Ch Enh-Mode MOSFET |
на замовлення 315 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TPS1120D | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -15V; -0.53A; Idm: 7A; SO8; ESD Case: SO8 Drain-source voltage: -15V Drain current: -530mA On-state resistance: 0.18Ω Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Kind of package: tube Version: ESD Gate charge: 5.45nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±15V Pulsed drain current: 7A Mounting: SMD |
на замовлення 75 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| TPS1120D | Виробник : TI |
05+ |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| TPS1120D | Виробник : TI/BB |
09+ |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| TPS1120D | Виробник : TI/BB |
2004+ SOIC-8 |
на замовлення 5 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
TPS1120D | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET P-CH Si 15V 1.17A 8-Pin SOIC Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
TPS1120D | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET P-CH Si 15V 1.17A 8-Pin SOIC Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
TPS1120D | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8SOIC Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 840mW Drain to Source Voltage (Vdss): 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.17A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.45nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
товару немає в наявності |