Продукція > TEXAS INSTRUMENTS > TPS1120D
TPS1120D

TPS1120D Texas Instruments

getliterature.pdf Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET P-CH Si 15V 1.17A 8-Pin SOIC Tube
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
75+83.22 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPS1120D Texas Instruments

Description: MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8SOIC, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 840mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 15V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.17A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.45nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC.

Інші пропозиції TPS1120D за ціною від 82.30 грн до 275.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPS1120D TPS1120D Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Ftps1120 Description: MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 840mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.17A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.45nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
222+102.65 грн
Мінімальне замовлення: 222
В кошику  од. на суму  грн.
TPS1120D TPS1120D Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Ftps1120 Trans MOSFET P-CH Si 15V 1.17A 8-Pin SOIC Tube
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
75+109.97 грн
300+108.44 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
TPS1120D TPS1120D Виробник : TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Ftps1120 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -15V; -0.53A; Idm: 7A; SO8; ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -530mA
Gate charge: 5.45nC
On-state resistance: 0.18Ω
Pulsed drain current: 7A
Gate-source voltage: ±15V
Kind of package: tube
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+194.06 грн
10+143.68 грн
75+111.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPS1120D TPS1120D Виробник : TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Ftps1120 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -15V; -0.53A; Idm: 7A; SO8; ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -530mA
Gate charge: 5.45nC
On-state resistance: 0.18Ω
Pulsed drain current: 7A
Gate-source voltage: ±15V
Kind of package: tube
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+232.87 грн
10+179.05 грн
75+134.31 грн
525+116.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPS1120D TPS1120D Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Ftps1120 MOSFETs Dual P-Ch Enh-Mode M OSFET A 595-TPS1120DR
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+275.61 грн
10+177.90 грн
75+120.41 грн
525+84.59 грн
3000+82.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPS1120D Виробник : TI suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Ftps1120 05+
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPS1120D Виробник : TI/BB suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Ftps1120 09+
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPS1120D Виробник : TI/BB suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Ftps1120 2004+ SOIC-8
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPS1120D TPS1120D Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Ftps1120 Trans MOSFET P-CH Si 15V 1.17A 8-Pin SOIC Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPS1120D TPS1120D Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Ftps1120 Trans MOSFET P-CH Si 15V 1.17A 8-Pin SOIC Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPS1120D TPS1120D Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Ftps1120 Description: MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 840mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.17A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.45nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.