TPS1120DR Texas Instruments
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 90.46 грн |
| 10+ | 83.57 грн |
| 25+ | 83.08 грн |
| 100+ | 72.18 грн |
| 250+ | 59.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPS1120DR Texas Instruments
Description: MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 840mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 15V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.17A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.45nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.
Інші пропозиції TPS1120DR за ціною від 63.63 грн до 227.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TPS1120DR | Виробник : Texas Instruments |
 Trans MOSFET P-CH Si 15V 1.17A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 344 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TPS1120DR | Виробник : Texas Instruments |
MOSFETs Dual P-Ch Enh-Mode M OSFET A 595-TPS1120D |
на замовлення 2598 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TPS1120DR | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 840mW Drain to Source Voltage (Vdss): 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.17A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.45nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 718 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| TPS1120DR | Виробник : TI |
0601+ ORIGINAL |
на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
 |
TPS1120DR | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET P-CH Si 15V 1.17A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
TPS1120DR | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET P-CH Si 15V 1.17A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
TPS1120DR | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET P-CH Si 15V 1.17A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
TPS1120DR | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 840mW Drain to Source Voltage (Vdss): 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.17A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.45nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
товару немає в наявності |