TPS1120DR Texas Instruments
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 112.68 грн |
| 10+ | 104.09 грн |
| 25+ | 103.48 грн |
| 100+ | 89.90 грн |
| 250+ | 73.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPS1120DR Texas Instruments
Description: MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 840mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 15V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.17A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.45nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.
Інші пропозиції TPS1120DR за ціною від 73.59 грн до 223.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TPS1120DR | Texas Instruments |
 Trans MOSFET P-CH Si 15V 1.17A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 344 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
TPS1120DR | Texas Instruments |
Description: MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8SOIC Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.45nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.17A Drain to Source Voltage (Vdss): 15V Power - Max: 840mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 718 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
TPS1120DR | Texas Instruments |
MOSFETs Dual P-Ch Enh-Mode M OSFET A 595-TPS1120 A 595-TPS1120D |
на замовлення 913 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TPS1120DR | TI |
0601+ ORIGINAL |
на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| TPS1120DR |
|
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET P-CH Si 15V 1.17A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH Si 15V 1.17A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 126+ | 112.68 грн |
| 136+ | 104.09 грн |
| 137+ | 103.48 грн |
| 152+ | 89.90 грн |
| 250+ | 73.59 грн |
| TPS1120DR |
|
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8SOIC
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.45nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.17A
Drain to Source Voltage (Vdss): 15V
Power - Max: 840mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8SOIC
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.45nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.17A
Drain to Source Voltage (Vdss): 15V
Power - Max: 840mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 223.67 грн |
| 10+ | 113.12 грн |
| 100+ | 82.28 грн |
| 500+ | 74.71 грн |
| TPS1120DR |
|
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs Dual P-Ch Enh-Mode M OSFET A 595-TPS1120 A 595-TPS1120D
MOSFETs Dual P-Ch Enh-Mode M OSFET A 595-TPS1120 A 595-TPS1120D
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)