TPS28225DRBR Texas Instruments
Виробник: Texas InstrumentsDriver 6A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin VSON EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 52.65 грн |
| 6000+ | 50.31 грн |
| 9000+ | 48.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPS28225DRBR Texas Instruments
Category: MOSFET/IGBT drivers, Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SON8, Type of integrated circuit: driver, Topology: MOSFET half-bridge, Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side, Case: SON8, Output current: 6A, Number of channels: 2, Supply voltage: 4.5...8V DC, Integrated circuit features: dead time; integrated bootstrap functionality; UVLO (UnderVoltage LockOut), Mounting: SMD, Operating temperature: -40...125°C, Impulse rise time: 10ns, Pulse fall time: 10ns, Kind of package: reel; tape, Kind of output: inverting; non-inverting, Protection: undervoltage UVP, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції TPS28225DRBR за ціною від 44.25 грн до 117.9 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TPS28225DRBR | Виробник : Texas Instruments |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Voltage - Supply: 4.5V ~ 8.8V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 33 V Supplier Device Package: 8-SON (3x3) Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 10ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.1V Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 2166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TPS28225DRBR | Виробник : Texas Instruments |
Gate Drivers 8P Hi Freq 4A Sink Synch MOSFET Drvr |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 63-72 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| TPS28225DRBR | Виробник : BB/TI |
|
на замовлення 3748 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| TPS28225DRBR | Виробник : TI |
|
на замовлення 438 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| TPS28225DRBR | Виробник : TI |
08+PB |
на замовлення 146 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
TPS28225DRBR | Виробник : Texas Instruments |
Driver 6A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin VSON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
TPS28225DRBR | Виробник : Texas Instruments |
Driver 6A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin VSON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
TPS28225DRBR | Виробник : Texas Instruments |
Driver 6A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin VSON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| TPS28225DRBR | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SON8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SON8 Output current: 6A Number of channels: 2 Supply voltage: 4.5...8V DC Integrated circuit features: dead time; integrated bootstrap functionality; UVLO (UnderVoltage LockOut) Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Impulse rise time: 10ns Pulse fall time: 10ns Kind of package: reel; tape Kind of output: inverting; non-inverting Protection: undervoltage UVP кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
TPS28225DRBR | Виробник : Texas Instruments |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Voltage - Supply: 4.5V ~ 8.8V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 33 V Supplier Device Package: 8-SON (3x3) Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 10ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.1V Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| TPS28225DRBR | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SON8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SON8 Output current: 6A Number of channels: 2 Supply voltage: 4.5...8V DC Integrated circuit features: dead time; integrated bootstrap functionality; UVLO (UnderVoltage LockOut) Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Impulse rise time: 10ns Pulse fall time: 10ns Kind of package: reel; tape Kind of output: inverting; non-inverting Protection: undervoltage UVP |
товар відсутній |