Технічний опис TPS28226DRBR BB/TI
Category: MOSFET/IGBT drivers, Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; MOSFET gate driver; SON8; 2A, Type of integrated circuit: driver, Kind of integrated circuit: MOSFET gate driver, Case: SON8, Output current: 2A, Integrated circuit features: dead time; integrated bootstrap functionality; UVLO (UnderVoltage LockOut), Mounting: SMD, Operating temperature: -40...125°C, Impulse rise time: 10ns, Pulse fall time: 10ns, Kind of package: reel; tape, Protection: undervoltage UVP, Topology: MOSFET half-bridge.
Інші пропозиції TPS28226DRBR
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
TPS28226DRBR | Виробник : TI |
![]() |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
TPS28226DRBR | Виробник : TI |
![]() |
на замовлення 2700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
![]() |
TPS28226DRBR | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
TPS28226DRBR | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
TPS28226DRBR | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
TPS28226DRBR | Виробник : Texas Instruments |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Voltage - Supply: 6.8V ~ 8.8V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 33 V Supplier Device Package: 8-SON (3x3) Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 10ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |
|
![]() |
TPS28226DRBR | Виробник : Texas Instruments |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Voltage - Supply: 6.8V ~ 8.8V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 33 V Supplier Device Package: 8-SON (3x3) Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 10ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |
|
![]() |
TPS28226DRBR | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
товару немає в наявності |
|
TPS28226DRBR | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; MOSFET gate driver; SON8; 2A Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: MOSFET gate driver Case: SON8 Output current: 2A Integrated circuit features: dead time; integrated bootstrap functionality; UVLO (UnderVoltage LockOut) Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Impulse rise time: 10ns Pulse fall time: 10ns Kind of package: reel; tape Protection: undervoltage UVP Topology: MOSFET half-bridge |
товару немає в наявності |