Технічний опис TPS7H6013HBX/EM Texas Instruments
Radiation-Hardness-Assured 200-V, Half Bridge GaN FET Gate Drive.
Інші пропозиції TPS7H6013HBX/EM
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TPS7H6013HBX/EM | Виробник : Texas Instruments | Radiation-Hardness-Assured 200-V, Half Bridge GaN FET Gate Drive |
товару немає в наявності |