Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TQM019NH04CR RLG
TQM019NH04CR RLG

TQM019NH04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation

TQM019NH04CR_B2309.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9044 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+228.40 грн
10+151.04 грн
100+109.70 грн
500+85.86 грн
1000+82.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TQM019NH04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: 40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9044 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції TQM019NH04CR RLG за ціною від 89.02 грн до 266.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TQM019NH04CR RLG TQM019NH04CR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor TQM019NH04CR_B2309.pdf MOSFETs 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 4994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+266.07 грн
10+193.74 грн
100+118.44 грн
500+100.79 грн
1000+92.70 грн
2500+89.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TQM019NH04CR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor tqm019nh04cr_b2309.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin PDFN EP Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+104.71 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TQM019NH04CR RLG TQM019NH04CR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TQM019NH04CR_B2309.pdf Description: 40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9044 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.