Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TQM025NB04CR RLG
TQM025NB04CR RLG

TQM025NB04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation


Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 24A/157A 8PDFNU
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 157A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6670 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 24A, 10V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+73.13 грн
5000+67.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TQM025NB04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM025NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 157 A, 1800 µohm, PDFN56U, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 157A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 136W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: PDFN56U, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції TQM025NB04CR RLG за ціною від 64.70 грн до 214.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TQM025NB04CR RLG TQM025NB04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CH 40V 24A/157A 8PDFNU
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 136W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6670 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 157A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 24A, 10V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.19 грн
10+129.74 грн
100+103.25 грн
500+81.99 грн
1000+69.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TQM025NB04CR RLG TQM025NB04CR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM025NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 157 A, 1800 µohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 157A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+183.78 грн
500+169.89 грн
1000+156.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TQM025NB04CR RLG TQM025NB04CR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM025NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 157 A, 1800 µohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 157A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+185.43 грн
10+184.60 грн
100+183.78 грн
500+169.89 грн
1000+156.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TQM025NB04CR RLG TQM025NB04CR RLG Taiwan Semiconductor MOSFETs 40V, 157A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 4740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+214.96 грн
10+126.16 грн
100+84.39 грн
500+73.14 грн
1000+69.55 грн
2500+64.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TQM025NB04CR RLG
TQM025NB04CR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 24A/157A 8PDFNU
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 136W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6670 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 157A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 24A, 10V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+162.19 грн
10+129.74 грн
100+103.25 грн
500+81.99 грн
1000+69.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TQM025NB04CR RLG
TQM025NB04CR RLG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM025NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 157 A, 1800 µohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 157A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+183.78 грн
500+169.89 грн
1000+156.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TQM025NB04CR RLG
TQM025NB04CR RLG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM025NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 157 A, 1800 µohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 157A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+185.43 грн
10+184.60 грн
100+183.78 грн
500+169.89 грн
1000+156.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TQM025NB04CR RLG
TQM025NB04CR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor
MOSFETs 40V, 157A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 4740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+214.96 грн
10+126.16 грн
100+84.39 грн
500+73.14 грн
1000+69.55 грн
2500+64.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.