TQM025NB04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 24A/157A 8PDFNU
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 157A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6670 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 24A, 10V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 71.63 грн |
| 5000+ | 66.38 грн |
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Технічний опис TQM025NB04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM025NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 157 A, 1800 µohm, PDFN56U, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 157A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 136W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 136W, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018), Bauform - Transistor: PDFN56U, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm.
Інші пропозиції TQM025NB04CR RLG за ціною від 68.14 грн до 158.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
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TQM025NB04CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CH 40V 24A/157A 8PDFNU Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 136W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6670 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 157A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 24A, 10V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TQM025NB04CR RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 40V, 157A, Single N-Channel Power MOSFET |
на замовлення 4740 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
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TQM025NB04CR RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM025NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 157 A, 1800 µohm, PDFN56U, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 157A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 136W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: PDFN56U Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm |
на замовлення 2482 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
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TQM025NB04CR RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM025NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 157 A, 1800 µohm, PDFN56U, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 157A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 136W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 136W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: PDFN56U Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm |
на замовлення 2482 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| TQM025NB04CR RLG |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 24A/157A 8PDFNU
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 136W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6670 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 157A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 24A, 10V
Description: MOSFET N-CH 40V 24A/157A 8PDFNU
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 136W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6670 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 157A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 24A, 10V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 158.86 грн |
| 10+ | 127.08 грн |
| 100+ | 101.13 грн |
| 500+ | 80.31 грн |
| 1000+ | 68.14 грн |
| TQM025NB04CR RLG |
Виробник: Taiwan Semiconductor
MOSFETs 40V, 157A, Single N-Channel Power MOSFET
MOSFETs 40V, 157A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 4740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| TQM025NB04CR RLG |
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM025NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 157 A, 1800 µohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 157A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM025NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 157 A, 1800 µohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
на замовлення 2482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TQM025NB04CR RLG |
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM025NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 157 A, 1800 µohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM025NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 157 A, 1800 µohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
на замовлення 2482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)