Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TQM025NH04LCR RLG
TQM025NH04LCR RLG

TQM025NH04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation

TQM025NH04LCR_B2309.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6228 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+68.48 грн
5000+65.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TQM025NH04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: 40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6228 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції TQM025NH04LCR RLG за ціною від 63.78 грн до 224.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TQM025NH04LCR RLG TQM025NH04LCR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor TQM025NH04LCR_B2309.pdf MOSFETs 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+170.80 грн
10+140.44 грн
100+97.11 грн
250+89.75 грн
500+81.66 грн
1000+73.57 грн
2500+63.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TQM025NH04LCR RLG TQM025NH04LCR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TQM025NH04LCR_B2309.pdf Description: 40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6228 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+224.42 грн
10+140.39 грн
100+96.96 грн
500+73.55 грн
1000+67.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TQM025NH04LCR RLG Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR TQM025NH04LCR_B2309.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 136W; PDFN56U
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tape
Gate charge: 63.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Mounting: SMD
Case: PDFN56U
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.