TQM032NH04CR RLG

TQM032NH04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation


TQM032NH04CR_C2309.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 40V, 81A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4344 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+52.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TQM032NH04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: 40V, 81A, SINGLE N-CHANNEL POWER, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 81A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 115W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4344 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції TQM032NH04CR RLG за ціною від 51.64 грн до 167.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TQM032NH04CR RLG TQM032NH04CR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor TQM032NH04CR_C2309.pdf MOSFETs 40V, 81A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+159.64 грн
10+120.98 грн
100+77.25 грн
250+75.04 грн
500+61.28 грн
1000+56.50 грн
2500+51.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TQM032NH04CR RLG TQM032NH04CR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TQM032NH04CR_C2309.pdf Description: 40V, 81A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4344 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+167.12 грн
10+108.13 грн
100+77.55 грн
500+58.37 грн
1000+53.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TQM032NH04CR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor tqm032nh04cr_b2304.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 143A Automotive AEC-Q101 8-Pin PDFN EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+59.57 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.