Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TQM056NH04CR RLG
TQM056NH04CR RLG

TQM056NH04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation

TQM056NH04CR_C2309.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 78.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2912 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+43.53 грн
5000+39.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TQM056NH04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 54A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 27A, 10V, Power Dissipation (Max): 78.9W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2912 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції TQM056NH04CR RLG за ціною від 36.98 грн до 139.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TQM056NH04CR RLG TQM056NH04CR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TQM056NH04CR_C2309.pdf Description: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 78.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2912 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.30 грн
10+82.93 грн
100+64.49 грн
500+51.30 грн
1000+41.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TQM056NH04CR RLG TQM056NH04CR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor TQM056NH04CR_C2309.pdf MOSFETs 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.10 грн
10+97.19 грн
100+58.48 грн
500+46.48 грн
1000+42.79 грн
2500+36.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TQM056NH04CR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor tqm056nh04cr_pa2203.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 54A Automotive 8-Pin PDFN EP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+43.93 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TQM056NH04CR RLG Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR TQM056NH04CR_C2309.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 54A; 78.9W; PDFN56U
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 54A
Power dissipation: 78.9W
Case: PDFN56U
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.