
TQM056NH04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 78.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.6 nC @ 10 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 54A (Tc)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 43.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TQM056NH04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 27A, 10V, Power Dissipation (Max): 78.9W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.6 nC @ 10 V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 54A (Tc), Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції TQM056NH04LCR RLG за ціною від 37.30 грн до 152.00 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TQM056NH04LCR RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4750 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
TQM056NH04LCR RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 78.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.6 nC @ 10 V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 54A (Tc) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 4970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
TQM056NH04LCR RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |