TQM076NH04DCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 40V 15A/40A 8PDFNU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 55.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET 2N-CH 40V 15A/40A 8PDFNU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 55.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 55.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TQM076NH04DCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 40V 15A/40A 8PDFNU, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 55.6W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6), Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції TQM076NH04DCR RLG за ціною від 52.61 грн до 320.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TQM076NH04DCR RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 15A/40A 8PDFNU Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 55.6W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 4995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TQM076NH04DCR RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor | MOSFET 40V, 40A, Dual N-Channel Power MOSFET |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| TQM076NH04DCR RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH Si 40V 64A Automotive 8-Pin PDFN EP |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
TQM076NH04DCR RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 64A Automotive AEC-Q101 8-Pin PDFN EP T/R |
товару немає в наявності |