Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TQM076NH04DCR RLG
TQM076NH04DCR RLG

TQM076NH04DCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation


Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 40V 15A/40A 8PDFNU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 55.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+52.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TQM076NH04DCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET 2N-CH 40V 15A/40A 8PDFNU, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 55.6W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6), Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції TQM076NH04DCR RLG за ціною від 49.84 грн до 116.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TQM076NH04DCR RLG TQM076NH04DCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET 2N-CH 40V 15A/40A 8PDFNU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 55.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.24 грн
10+92.98 грн
100+73.98 грн
500+58.74 грн
1000+49.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM076NH04DCR RLG TQM076NH04DCR RLG Taiwan Semiconductor MOSFETs 40V, 40A, Dual N-Channel Power MOSFET
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TQM076NH04DCR RLG
TQM076NH04DCR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 40V 15A/40A 8PDFNU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 55.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+116.24 грн
10+92.98 грн
100+73.98 грн
500+58.74 грн
1000+49.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM076NH04DCR RLG
TQM076NH04DCR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor
MOSFETs 40V, 40A, Dual N-Channel Power MOSFET
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.