TQM076NH04LDCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 40V 15A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 55.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2006pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 141.49 грн |
| 10+ | 104.31 грн |
| 100+ | 75.27 грн |
| 500+ | 56.58 грн |
| 1000+ | 52.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TQM076NH04LDCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 40V 15A 8PDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 55.6W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2006pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6), Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції TQM076NH04LDCR RLG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
TQM076NH04LDCR RLG | Taiwan Semiconductor |
MOSFETs 40V, 40A, Dual N-Channel Power MOSFET |
на замовлення 898 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| TQM076NH04LDCR RLG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
MOSFETs 40V, 40A, Dual N-Channel Power MOSFET
MOSFETs 40V, 40A, Dual N-Channel Power MOSFET
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)


