TQM076NH04LDCR RLG

TQM076NH04LDCR RLG Taiwan Semiconductor


tqm076nh04ldcr_pa2203.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 34A Automotive AEC-Q101 8-Pin PDFN EP T/R
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+58.54 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TQM076NH04LDCR RLG Taiwan Semiconductor

Description: MOSFET 2N-CH 40V 15A 8PDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 55.6W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2006pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6), Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції TQM076NH04LDCR RLG за ціною від 49.73 грн до 149.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TQM076NH04LDCR RLG TQM076NH04LDCR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor TQM076NH04LDCR_C2309.pdf MOSFETs 40V, 40A, Dual N-Channel Power MOSFET
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.82 грн
10+109.34 грн
100+75.46 грн
250+69.57 грн
500+63.16 грн
1000+57.20 грн
2500+49.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TQM076NH04LDCR RLG TQM076NH04LDCR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TQM076NH04LDCR_C2309.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 15A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 55.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2006pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.38 грн
10+110.13 грн
100+79.47 грн
500+59.73 грн
1000+54.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TQM076NH04LDCR RLG TQM076NH04LDCR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TQM076NH04LDCR_C2309.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 15A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 55.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2006pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.