TQM110NB04DCR RLG Taiwan Semiconductor
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 57.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TQM110NB04DCR RLG Taiwan Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A/50A 8PDFNU, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.5W (Ta), 58W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 50A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1354pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6), Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції TQM110NB04DCR RLG за ціною від 50.32 грн до 163.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TQM110NB04DCR RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A/50A 8PDFNU Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W (Ta), 58W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 50A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1354pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TQM110NB04DCR RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor | MOSFETs 40V, 50A, Dual N-Channel Power MOSFET |
на замовлення 6016 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
TQM110NB04DCR RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A/50A 8PDFNU Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W (Ta), 58W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 50A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1354pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 7712 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|