TQM130NB06CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 60V 10A/50A 8PDFNU
Qualification: AEC-Q101
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2234 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
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Технічний опис TQM130NB06CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM130NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0117 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 83W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: PDFN56U, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0117ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції TQM130NB06CR RLG за ціною від 35.72 грн до 89.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
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TQM130NB06CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CH 60V 10A/50A 8PDFNU Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2234 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 83W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V |
на замовлення 3963 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TQM130NB06CR RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 60V, 50A, Single N-Channel Power MOSFET |
на замовлення 3845 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
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TQM130NB06CR RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
 Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM130NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0117 ohm, PDFN56U, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PDFN56U Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1199 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TQM130NB06CR RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM130NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0117 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 83W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PDFN56U Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0117ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1199 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| TQM130NB06CR RLG |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 60V 10A/50A 8PDFNU
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2234 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Description: MOSFET N-CH 60V 10A/50A 8PDFNU
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2234 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 3963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 89.89 грн |
| 10+ | 70.89 грн |
| 100+ | 55.12 грн |
| 500+ | 43.85 грн |
| 1000+ | 35.72 грн |
| TQM130NB06CR RLG |
Виробник: Taiwan Semiconductor
MOSFETs 60V, 50A, Single N-Channel Power MOSFET
MOSFETs 60V, 50A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 3845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| TQM130NB06CR RLG |
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Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM130NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0117 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM130NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0117 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1199 шт:
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| TQM130NB06CR RLG |
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Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM130NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0117 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0117ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM130NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0117 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
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Produktpalette: -
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Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0117ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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