TQM150NB04DCR RLG Taiwan Semiconductor
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 40.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TQM150NB04DCR RLG Taiwan Semiconductor
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM150NB04DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 39 A, 39 A, 0.0103 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 39A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 39A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 39A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0103ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 48W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PDFN56U, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0103ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 48W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції TQM150NB04DCR RLG за ціною від 40.37 грн до 149.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TQM150NB04DCR RLG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
 Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM150NB04DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 39 A, 39 A, 0.0103 ohmtariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 39A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0103ohm Verlustleistung, p-Kanal: 48W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PDFN56U Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0103ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 48W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 4785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TQM150NB04DCR RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 9A 8PDFNU Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.4W (Ta), 48W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6) |
на замовлення 1670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
TQM150NB04DCR RLG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM150NB04DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 39 A, 39 A, 0.0103 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 39A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0103ohm Verlustleistung, p-Kanal: 48W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PDFN56U Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0103ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 48W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 4785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
TQM150NB04DCR RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 9A 8PDFNU Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.4W (Ta), 48W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6) |
товару немає в наявності |