Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR > TQM150NB04DCR RLG
TQM150NB04DCR RLG

TQM150NB04DCR RLG Taiwan Semiconductor

tqm150nb04dcr_a1912.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 39A Automotive 8-Pin PDFN EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+36.68 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TQM150NB04DCR RLG Taiwan Semiconductor

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM150NB04DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 39 A, 39 A, 0.0103 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 39A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 39A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 39A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0103ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 48W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PDFN56U, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0103ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 48W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції TQM150NB04DCR RLG за ціною від 34.05 грн до 251.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TQM150NB04DCR RLG TQM150NB04DCR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET 2N-CH 40V 9A/39A 8PDFNU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
на замовлення 1681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+85.74 грн
10+ 67.56 грн
100+ 52.55 грн
500+ 41.8 грн
1000+ 34.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
TQM150NB04DCR RLG TQM150NB04DCR RLG Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR 3256620.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM150NB04DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 39 A, 39 A, 0.0103 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 39A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0103ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0103ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 5040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+152.74 грн
500+ 120.67 грн
1000+ 101.62 грн
2500+ 96.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
TQM150NB04DCR RLG TQM150NB04DCR RLG Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR 3256620.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM150NB04DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 39 A, 39 A, 0.0103 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 39A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0103ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0103ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 5040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+251.93 грн
10+ 201.54 грн
25+ 183.02 грн
100+ 152.74 грн
500+ 120.67 грн
1000+ 101.62 грн
2500+ 96.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
TQM150NB04DCR RLG Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 9A; 16W; PDFN56U
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 9A
Power dissipation: 16W
Case: PDFN56U
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TQM150NB04DCR RLG TQM150NB04DCR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET 2N-CH 40V 9A/39A 8PDFNU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
товар відсутній
TQM150NB04DCR RLG Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 9A; 16W; PDFN56U
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 9A
Power dissipation: 16W
Case: PDFN56U
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній