TQM250NB06CV RGG

TQM250NB06CV RGG Taiwan Semiconductor Corporation


TQM250NB06CV_C2403.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.15x3.1)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1221 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+20.02 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TQM250NB06CV RGG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PDFN (3.15x3.1), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1221 pF @ 30 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції TQM250NB06CV RGG за ціною від 19.94 грн до 71.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TQM250NB06CV RGG TQM250NB06CV RGG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TQM250NB06CV_C2403.pdf Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.15x3.1)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1221 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.02 грн
10+45.83 грн
100+31.60 грн
500+23.62 грн
1000+21.63 грн
2000+19.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.