Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TQM250NB06DCR RLG
TQM250NB06DCR RLG

TQM250NB06DCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation


Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A/30A 8PDFNU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 58W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1398pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+41.50 грн
5000+38.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TQM250NB06DCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A/30A 8PDFNU, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.5W (Ta), 58W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 30A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1398pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6), Grade: Automotive, Part Status: Active, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції TQM250NB06DCR RLG за ціною від 36.64 грн до 134.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TQM250NB06DCR RLG TQM250NB06DCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A/30A 8PDFNU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 58W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1398pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.48 грн
10+79.08 грн
100+61.48 грн
500+48.90 грн
1000+39.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TQM250NB06DCR RLG TQM250NB06DCR RLG Taiwan Semiconductor MOSFETs 60V, 30A, Dual N-Channel Power MOSFET
на замовлення 4925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.56 грн
10+81.68 грн
100+50.42 грн
500+42.41 грн
1000+38.89 грн
2500+37.48 грн
5000+36.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TQM250NB06DCR RLG
TQM250NB06DCR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A/30A 8PDFNU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 58W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1398pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.48 грн
10+79.08 грн
100+61.48 грн
500+48.90 грн
1000+39.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TQM250NB06DCR RLG
TQM250NB06DCR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor
MOSFETs 60V, 30A, Dual N-Channel Power MOSFET
на замовлення 4925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+134.56 грн
10+81.68 грн
100+50.42 грн
500+42.41 грн
1000+38.89 грн
2500+37.48 грн
5000+36.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.