Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR > TQM300NB06DCR RLG
TQM300NB06DCR RLG

TQM300NB06DCR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR

TQM300NB06DCR_A2006.pdf
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM300NB06DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 25 A, 25 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TQM300NB06DCR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM300NB06DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 25 A, 25 A, 0.025 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 48W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018), Bauform - Transistor: PDFN56U, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 48W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції TQM300NB06DCR RLG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TQM300NB06DCR RLG TQM300NB06DCR RLG Taiwan Semiconductor TQM300NB06DCR_A2006.pdf MOSFETs 60V, 25A, Dual N-Channel Power MOSFET
на замовлення 4667 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TQM300NB06DCR RLG TQM300NB06DCR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR TQM300NB06DCR_A2006.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM300NB06DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 25 A, 25 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM300NB06DCR RLG TQM300NB06DCR_A2006.pdf
TQM300NB06DCR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor
MOSFETs 60V, 25A, Dual N-Channel Power MOSFET
на замовлення 4667 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TQM300NB06DCR RLG TQM300NB06DCR_A2006.pdf
TQM300NB06DCR RLG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM300NB06DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 25 A, 25 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.