TSCDB02120G2H Taiwan Semiconductor Corporation
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 2A 1200V SIC SCHOTTKY DIODE
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 800V, 1MHz
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Diode Type: Schottky - Single
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Current - Max: 2 A
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Voltage - Peak Reverse (Max): 1200V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 111.80 грн |
| 10+ | 68.11 грн |
| 100+ | 45.52 грн |
| 500+ | 33.62 грн |
| 1000+ | 30.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSCDB02120G2H Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 2A 1200V SIC SCHOTTKY DIODE, Qualification: AEC-Q101, Current - Max: 2 A, Grade: Automotive, Supplier Device Package: DO-214AA (SMB), Voltage - Peak Reverse (Max): 1200V, Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 800V, 1MHz, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Diode Type: Schottky - Single, Package / Case: DO-214AA, SMB, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції TSCDB02120G2H
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TSCDB02120G2H | Taiwan Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 2A, 1200V, Wide Bandgap SiC Schottky Diode - Automotive Qualified |
на замовлення 5284 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| TSCDB02120G2H |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor
SiC Schottky Diodes 2A, 1200V, Wide Bandgap SiC Schottky Diode - Automotive Qualified
SiC Schottky Diodes 2A, 1200V, Wide Bandgap SiC Schottky Diode - Automotive Qualified
на замовлення 5284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)