TSCDF10065G1 Taiwan Semiconductor Corporation
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SIC 650V 10A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Schottky - Single
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 400V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Max: 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 221.04 грн |
| 10+ | 138.43 грн |
| 100+ | 95.80 грн |
| 500+ | 72.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSCDF10065G1 Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SIC 650V 10A ITO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Schottky - Single, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 400V, 1MHz, Voltage - Peak Reverse (Max): 650V, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: ITO-220AC, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Current - Max: 10 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V.
Інші пропозиції TSCDF10065G1 за ціною від 140.74 грн до 337.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TSCDF10065G1 | Виробник : Taiwan Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 10A, 650V, SiC Schottky Diode |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|