TSCDT08065G1 Taiwan Semiconductor Corporation
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 39pF @ 400V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 267.41 грн |
| 10+ | 208.60 грн |
| 100+ | 151.13 грн |
| 500+ | 117.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSCDT08065G1 Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220AC, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 8 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: TO-220AC, Current - Average Rectified (Io): 8A, Capacitance @ Vr, F: 39pF @ 400V, 1MHz, Technology: Schottky, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-2, Packaging: Tube.
Інші пропозиції TSCDT08065G1 за ціною від 111.82 грн до 273.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TSCDT08065G1 | Taiwan Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 8A, 650V, SiC Schottky Diode |
на замовлення 848 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| TSCDT08065G1 |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor
SiC Schottky Diodes 8A, 650V, SiC Schottky Diode
SiC Schottky Diodes 8A, 650V, SiC Schottky Diode
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 273.21 грн |
| 10+ | 220.79 грн |
| 100+ | 139.24 грн |
| 500+ | 120.96 грн |
| 1000+ | 111.82 грн |