TSCDT10065G1 Taiwan Semiconductor Corporation
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 317.00 грн |
| 10+ | 256.72 грн |
| 100+ | 207.69 грн |
| 500+ | 173.25 грн |
| 1000+ | 148.35 грн |
| 2000+ | 139.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSCDT10065G1 Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 400V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V.
Інші пропозиції TSCDT10065G1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TSCDT10065G1 | Taiwan Semiconductor | SiC Schottky Diodes 10A, 650V, SiC Schottky Diode |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| TSCDT10065G1 |
Виробник: Taiwan Semiconductor
SiC Schottky Diodes 10A, 650V, SiC Schottky Diode
SiC Schottky Diodes 10A, 650V, SiC Schottky Diode
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)