Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TSCDT10065G1
TSCDT10065G1

TSCDT10065G1 Taiwan Semiconductor Corporation

Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+325.50 грн
10+263.60 грн
100+213.25 грн
500+177.89 грн
1000+152.32 грн
2000+143.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSCDT10065G1 Taiwan Semiconductor Corporation

Description: DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 400V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V.

Інші пропозиції TSCDT10065G1 за ціною від 148.25 грн до 354.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TSCDT10065G1 TSCDT10065G1 Виробник : Taiwan Semiconductor SiC Schottky Diodes 10A, 650V, SiC Schottky Diode
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+354.48 грн
10+293.71 грн
100+206.96 грн
250+195.22 грн
500+183.48 грн
1000+157.06 грн
2000+148.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.