Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TSG65N068CE RVG
TSG65N068CE RVG

TSG65N068CE RVG Taiwan Semiconductor Corporation

TSG65N068CE_A2303.pdf
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 650V, 30A, PDFN88, E-MODE GAN TR
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1723.83 грн
10+1199.17 грн
50+1117.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSG65N068CE RVG Taiwan Semiconductor Corporation

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 30A; Idm: 60A; PDFN88, Technology: GaN, Features of semiconductor devices: Kelvin terminal, Drain current: 30A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 650V, Kind of transistor: HEMT, Type of transistor: N-JFET, Gate-source voltage: -10...7V, Kind of package: tape, Case: PDFN88, On-state resistance: 68mΩ, Mounting: SMD, Pulsed drain current: 60A, Gate charge: 6.7nC, Polarisation: unipolar.

Інші пропозиції TSG65N068CE RVG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TSG65N068CE RVG TSG65N068CE RVG Taiwan Semiconductor Corporation TSG65N068CE_A2303.pdf Description: 650V, 30A, PDFN88, E-MODE GAN TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSG65N068CE RVG TSG65N068CE RVG Taiwan Semiconductor TSG65N068CE_A2303.pdf GaN FETs 650V, 30A, PDFN88, E-mode GaN Transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSG65N068CE RVG TAIWAN SEMICONDUCTOR TSG65N068CE_A2303.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 30A; Idm: 60A; PDFN88
Technology: GaN
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Kind of transistor: HEMT
Type of transistor: N-JFET
Gate-source voltage: -10...7V
Kind of package: tape
Case: PDFN88
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 60A
Gate charge: 6.7nC
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSG65N068CE RVG TSG65N068CE_A2303.pdf
TSG65N068CE RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 650V, 30A, PDFN88, E-MODE GAN TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSG65N068CE RVG TSG65N068CE_A2303.pdf
TSG65N068CE RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor
GaN FETs 650V, 30A, PDFN88, E-mode GaN Transistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSG65N068CE RVG TSG65N068CE_A2303.pdf
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 30A; Idm: 60A; PDFN88
Technology: GaN
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Kind of transistor: HEMT
Type of transistor: N-JFET
Gate-source voltage: -10...7V
Kind of package: tape
Case: PDFN88
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 60A
Gate charge: 6.7nC
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.