TSG65N110CE RVG Taiwan Semiconductor Corporation
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 650V, 18A, PDFN88, E-MODE GAN TR
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1002.40 грн |
| 10+ | 679.81 грн |
| 100+ | 613.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSG65N110CE RVG Taiwan Semiconductor Corporation
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 18A; Idm: 35A; PDFN88, Type of transistor: N-JFET, Technology: GaN, Polarisation: unipolar, Kind of transistor: HEMT, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 18A, Pulsed drain current: 35A, Case: PDFN88, Gate-source voltage: -10...7V, On-state resistance: 0.11Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 4nC, Kind of package: tape, Kind of channel: enhancement, Features of semiconductor devices: Kelvin terminal.
Інші пропозиції TSG65N110CE RVG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
TSG65N110CE RVG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: 650V, 18A, PDFN88, E-MODE GAN TR Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
TSG65N110CE RVG | Taiwan Semiconductor |
GaN FETs 650V, 18A, PDFN88, E-mode GaN Transistor |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| TSG65N110CE RVG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 18A; Idm: 35A; PDFN88 Type of transistor: N-JFET Technology: GaN Polarisation: unipolar Kind of transistor: HEMT Drain-source voltage: 650V Drain current: 18A Pulsed drain current: 35A Case: PDFN88 Gate-source voltage: -10...7V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Gate charge: 4nC Kind of package: tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| TSG65N110CE RVG |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 650V, 18A, PDFN88, E-MODE GAN TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: 650V, 18A, PDFN88, E-MODE GAN TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TSG65N110CE RVG |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor
GaN FETs 650V, 18A, PDFN88, E-mode GaN Transistor
GaN FETs 650V, 18A, PDFN88, E-mode GaN Transistor
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TSG65N110CE RVG |
|
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 18A; Idm: 35A; PDFN88
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 35A
Case: PDFN88
Gate-source voltage: -10...7V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 18A; Idm: 35A; PDFN88
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 35A
Case: PDFN88
Gate-source voltage: -10...7V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.