TSG65N110CE RVG Taiwan Semiconductor Corporation
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 650V, 18A, PDFN88, E-MODE GAN TR
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1051.31 грн |
| 10+ | 712.30 грн |
| 50+ | 600.89 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSG65N110CE RVG Taiwan Semiconductor Corporation
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 18A; Idm: 35A; PDFN88, Technology: GaN, Case: PDFN88, Mounting: SMD, Kind of package: tape, On-state resistance: 0.11Ω, Pulsed drain current: 35A, Gate charge: 4nC, Polarisation: unipolar, Features of semiconductor devices: Kelvin terminal, Drain current: 18A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 650V, Kind of transistor: HEMT, Type of transistor: N-JFET, Gate-source voltage: -10...7V.
Інші пропозиції TSG65N110CE RVG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
TSG65N110CE RVG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: 650V, 18A, PDFN88, E-MODE GAN TR Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
TSG65N110CE RVG | Taiwan Semiconductor |
GaN FETs 650V, 18A, PDFN88, E-mode GaN Transistor |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 9000 шт В кошику од. на суму грн. |
| TSG65N110CE RVG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 18A; Idm: 35A; PDFN88 Technology: GaN Case: PDFN88 Mounting: SMD Kind of package: tape On-state resistance: 0.11Ω Pulsed drain current: 35A Gate charge: 4nC Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Drain current: 18A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 650V Kind of transistor: HEMT Type of transistor: N-JFET Gate-source voltage: -10...7V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| TSG65N110CE RVG |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 650V, 18A, PDFN88, E-MODE GAN TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: 650V, 18A, PDFN88, E-MODE GAN TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TSG65N110CE RVG |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor
GaN FETs 650V, 18A, PDFN88, E-mode GaN Transistor
GaN FETs 650V, 18A, PDFN88, E-mode GaN Transistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TSG65N110CE RVG |
|
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 18A; Idm: 35A; PDFN88
Technology: GaN
Case: PDFN88
Mounting: SMD
Kind of package: tape
On-state resistance: 0.11Ω
Pulsed drain current: 35A
Gate charge: 4nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 18A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Kind of transistor: HEMT
Type of transistor: N-JFET
Gate-source voltage: -10...7V
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 18A; Idm: 35A; PDFN88
Technology: GaN
Case: PDFN88
Mounting: SMD
Kind of package: tape
On-state resistance: 0.11Ω
Pulsed drain current: 35A
Gate charge: 4nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 18A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Kind of transistor: HEMT
Type of transistor: N-JFET
Gate-source voltage: -10...7V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.