TSG65N110CE RVG Taiwan Semiconductor Corporation
Виробник: Taiwan Semiconductor CorporationDescription: 650V, 18A, PDFN88, E-MODE GAN TR
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1157.48 грн |
| 10+ | 784.55 грн |
| 100+ | 598.39 грн |
| 500+ | 542.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSG65N110CE RVG Taiwan Semiconductor Corporation
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 18A; Idm: 35A; PDFN88, Type of transistor: N-JFET, Technology: GaN, Polarisation: unipolar, Kind of transistor: HEMT, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 18A, Pulsed drain current: 35A, Case: PDFN88, Gate-source voltage: -10...7V, On-state resistance: 0.11Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 4nC, Kind of package: tape, Kind of channel: enhancement, Features of semiconductor devices: Kelvin terminal.
Інші пропозиції TSG65N110CE RVG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| TSG65N110CE RVG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Trans JFET N-CH 650V 18A GaN |
товару немає в наявності |
||
|
|
TSG65N110CE RVG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: 650V, 18A, PDFN88, E-MODE GAN TR Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
|
 |
TSG65N110CE RVG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
GaN FETs 650V, 18A, PDFN88, E-mode GaN Transistor |
товару немає в наявності |
|
| TSG65N110CE RVG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 18A; Idm: 35A; PDFN88 Type of transistor: N-JFET Technology: GaN Polarisation: unipolar Kind of transistor: HEMT Drain-source voltage: 650V Drain current: 18A Pulsed drain current: 35A Case: PDFN88 Gate-source voltage: -10...7V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Gate charge: 4nC Kind of package: tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal |
товару немає в наявності |