TSG65N190CR RVG Taiwan Semiconductor Corporation
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 650V, 11A, PDFN56, E-MODE GAN TR
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 729.49 грн |
| 10+ | 482.95 грн |
| 50+ | 389.11 грн |
| 100+ | 345.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSG65N190CR RVG Taiwan Semiconductor Corporation
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 11A; Idm: 19A; PDFN56, Technology: GaN, Features of semiconductor devices: Kelvin terminal, Drain current: 11A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 650V, Kind of transistor: HEMT, Type of transistor: N-JFET, Gate-source voltage: -10...7V, Kind of package: tape, Case: PDFN56, On-state resistance: 0.19Ω, Mounting: SMD, Pulsed drain current: 19A, Gate charge: 2.2nC, Polarisation: unipolar.
Інші пропозиції TSG65N190CR RVG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TSG65N190CR RVG | Taiwan Semiconductor |
GaN FETs 650V, 11A, PDFN56, E-mode GaN Transistor |
на замовлення 2993 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| TSG65N190CR RVG |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor
GaN FETs 650V, 11A, PDFN56, E-mode GaN Transistor
GaN FETs 650V, 11A, PDFN56, E-mode GaN Transistor
на замовлення 2993 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)