TSG65N190CR RVG Taiwan Semiconductor Corporation
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 650V, 11A, PDFN56, E-MODE GAN TR
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 655.67 грн |
| 10+ | 434.02 грн |
| 100+ | 353.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSG65N190CR RVG Taiwan Semiconductor Corporation
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 11A; Idm: 19A; PDFN56, Type of transistor: N-JFET, Technology: GaN, Polarisation: unipolar, Kind of transistor: HEMT, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 11A, Pulsed drain current: 19A, Case: PDFN56, Gate-source voltage: -10...7V, On-state resistance: 0.19Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 2.2nC, Kind of package: tape, Kind of channel: enhancement, Features of semiconductor devices: Kelvin terminal.
Інші пропозиції TSG65N190CR RVG за ціною від 281.63 грн до 688.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TSG65N190CR RVG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
GaN FETs 650V, 11A, PDFN56, E-mode GaN Transistor |
на замовлення 2998 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
TSG65N190CR RVG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: 650V, 11A, PDFN56, E-MODE GAN TR Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| TSG65N190CR RVG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 11A; Idm: 19A; PDFN56 Type of transistor: N-JFET Technology: GaN Polarisation: unipolar Kind of transistor: HEMT Drain-source voltage: 650V Drain current: 11A Pulsed drain current: 19A Case: PDFN56 Gate-source voltage: -10...7V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.2nC Kind of package: tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal |
товару немає в наявності |