TSG65N190CR RVG Taiwan Semiconductor Corporation
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 650V, 11A, PDFN56, E-MODE GAN TR
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 646.27 грн |
| 10+ | 427.80 грн |
| 100+ | 348.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSG65N190CR RVG Taiwan Semiconductor Corporation
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 11A; Idm: 19A; PDFN56, Type of transistor: N-JFET, Technology: GaN, Polarisation: unipolar, Kind of transistor: HEMT, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 11A, Pulsed drain current: 19A, Case: PDFN56, Gate-source voltage: -10...7V, On-state resistance: 0.19Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 2.2nC, Kind of package: tape, Kind of channel: enhancement, Features of semiconductor devices: Kelvin terminal.
Інші пропозиції TSG65N190CR RVG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TSG65N190CR RVG | Taiwan Semiconductor |
GaN FETs 650V, 11A, PDFN56, E-mode GaN Transistor |
на замовлення 2993 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| TSG65N190CR RVG |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor
GaN FETs 650V, 11A, PDFN56, E-mode GaN Transistor
GaN FETs 650V, 11A, PDFN56, E-mode GaN Transistor
на замовлення 2993 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)