
TSG65N190CR RVG Taiwan Semiconductor
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 690.07 грн |
10+ | 583.76 грн |
25+ | 481.87 грн |
100+ | 423.75 грн |
250+ | 409.04 грн |
500+ | 373.73 грн |
1000+ | 336.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSG65N190CR RVG Taiwan Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 11A; Idm: 19A; PDFN56, Type of transistor: N-JFET, Technology: GaN, Polarisation: unipolar, Kind of transistor: HEMT, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 11A, Pulsed drain current: 19A, Case: PDFN56, Gate-source voltage: -10...7V, On-state resistance: 0.19Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 2.2nC, Kind of package: tape, Kind of channel: enhancement, Features of semiconductor devices: Kelvin terminal.
Інші пропозиції TSG65N190CR RVG за ціною від 308.16 грн до 744.88 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TSG65N190CR RVG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
TSG65N190CR RVG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||
![]() |
TSG65N190CR RVG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
|||||||||||
TSG65N190CR RVG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 11A; Idm: 19A; PDFN56 Type of transistor: N-JFET Technology: GaN Polarisation: unipolar Kind of transistor: HEMT Drain-source voltage: 650V Drain current: 11A Pulsed drain current: 19A Case: PDFN56 Gate-source voltage: -10...7V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.2nC Kind of package: tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal |
товару немає в наявності |