TSG65N190CR RVG

TSG65N190CR RVG Taiwan Semiconductor


TSG65N190CR_B2305.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor
GaN FETs 650V, 11A, PDFN56, E-mode GaN Transistor
на замовлення 2998 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+690.07 грн
10+583.76 грн
25+481.87 грн
100+423.75 грн
250+409.04 грн
500+373.73 грн
1000+336.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSG65N190CR RVG Taiwan Semiconductor

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 11A; Idm: 19A; PDFN56, Type of transistor: N-JFET, Technology: GaN, Polarisation: unipolar, Kind of transistor: HEMT, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 11A, Pulsed drain current: 19A, Case: PDFN56, Gate-source voltage: -10...7V, On-state resistance: 0.19Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 2.2nC, Kind of package: tape, Kind of channel: enhancement, Features of semiconductor devices: Kelvin terminal.

Інші пропозиції TSG65N190CR RVG за ціною від 308.16 грн до 744.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TSG65N190CR RVG TSG65N190CR RVG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSG65N190CR_B2305.pdf Description: 650V, 11A, PDFN56, E-MODE GAN TR
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+744.88 грн
10+493.29 грн
100+366.64 грн
500+308.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TSG65N190CR RVG Виробник : Taiwan Semiconductor tsg65n190cr_a2304.pdf Trans JFET N-CH 650V 11A GaN 8-Pin PDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSG65N190CR RVG TSG65N190CR RVG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSG65N190CR_B2305.pdf Description: 650V, 11A, PDFN56, E-MODE GAN TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSG65N190CR RVG Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR TSG65N190CR_B2305.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 11A; Idm: 19A; PDFN56
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 19A
Case: PDFN56
Gate-source voltage: -10...7V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.2nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.