TSG65N195CE RVG Taiwan Semiconductor Corporation
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 650V, 11A, PDFN88, E-MODE GAN TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSG65N195CE RVG Taiwan Semiconductor Corporation
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 11A; Idm: 19A; PDFN88, Technology: GaN, Features of semiconductor devices: Kelvin terminal, Drain current: 11A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 650V, Kind of transistor: HEMT, Type of transistor: N-JFET, Gate-source voltage: -10...7V, Kind of package: tape, Case: PDFN88, On-state resistance: 0.195Ω, Mounting: SMD, Pulsed drain current: 19A, Gate charge: 2.2nC, Polarisation: unipolar.
Інші пропозиції TSG65N195CE RVG за ціною від 358.65 грн до 750.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TSG65N195CE RVG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: 650V, 11A, PDFN88, E-MODE GAN TR Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
TSG65N195CE RVG | Taiwan Semiconductor |
GaN FETs 650V, 11A, PDFN88, E-mode GaN Transistor |
на замовлення 2960 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| TSG65N195CE RVG |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 650V, 11A, PDFN88, E-MODE GAN TR
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: 650V, 11A, PDFN88, E-MODE GAN TR
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 750.90 грн |
| 10+ | 498.15 грн |
| 50+ | 401.83 грн |
| 100+ | 358.65 грн |
| TSG65N195CE RVG |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor
GaN FETs 650V, 11A, PDFN88, E-mode GaN Transistor
GaN FETs 650V, 11A, PDFN88, E-mode GaN Transistor
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)