Продукція > VISHAY SEMICONDUCTOR OPTO DIVISION > TSHG8200
TSHG8200

TSHG8200 Vishay Semiconductor Opto Division

tshg8200.pdf
Виробник: Vishay Semiconductor Opto Division
Description: EMITTER IR 830NM 100MA RADIAL
Mounting Type: Through Hole
Wavelength: 830nm
Package / Case: Radial, 5mm Dia (T 1 3/4)
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 120mW/sr @ 100mA
Current - DC Forward (If) (Max): 100mA
Viewing Angle: 20°
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Orientation: Top View
Type: Infrared (IR)
на замовлення 19147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+99.74 грн
10+60.68 грн
100+44.90 грн
500+38.72 грн
1000+31.89 грн
2000+30.29 грн
5000+29.12 грн
10000+28.45 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSHG8200 Vishay Semiconductor Opto Division

Description: VISHAY - TSHG8200 - Infrarot-Emitter, 830 nm, 10 °, T-1 3/4 (5mm), 180 mW/Sr, 20 ns, 13 ns, tariffCode: 85414100, Bauform - Diode: T-1 3/4 (5mm), Durchlassspannung Vf max.: 1.5V, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Abfallzeit tf: 13ns, MSL: -, usEccn: EAR99, Spitzenwellenlänge: 830nm, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Strahlungsintensität (Ie): 180mW/Sr, Halbwertswinkel: 10°, euEccn: NLR, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 100mA, Produktpalette: GaAlAs Double Hetero IR Diode, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Anstiegszeit: 20ns, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TSHG8200

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TSHG8200 TSHG8200 Vishay Semiconductors tshg8200.pdf Infrared Emitters - High Power 830mm T-1.75 90mW/sr,+/-10deg.
на замовлення 4006 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSHG8200 TSHG8200 VISHAY 2246064.pdf Description: VISHAY - TSHG8200 - Infrarot-Emitter, 830 nm, 10 °, T-1 3/4 (5mm), 180 mW/Sr, 20 ns, 13 ns
tariffCode: 85414100
Bauform - Diode: T-1 3/4 (5mm)
Durchlassspannung Vf max.: 1.5V
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Abfallzeit tf: 13ns
MSL: -
usEccn: EAR99
Spitzenwellenlänge: 830nm
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Strahlungsintensität (Ie): 180mW/Sr
Halbwertswinkel: 10°
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 100mA
Produktpalette: GaAlAs Double Hetero IR Diode
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anstiegszeit: 20ns
SVHC: To Be Advised
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSHG8200 tshg8200.pdf
TSHG8200
Виробник: Vishay Semiconductors
Infrared Emitters - High Power 830mm T-1.75 90mW/sr,+/-10deg.
на замовлення 4006 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSHG8200 2246064.pdf
TSHG8200
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - TSHG8200 - Infrarot-Emitter, 830 nm, 10 °, T-1 3/4 (5mm), 180 mW/Sr, 20 ns, 13 ns
tariffCode: 85414100
Bauform - Diode: T-1 3/4 (5mm)
Durchlassspannung Vf max.: 1.5V
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Abfallzeit tf: 13ns
MSL: -
usEccn: EAR99
Spitzenwellenlänge: 830nm
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Strahlungsintensität (Ie): 180mW/Sr
Halbwertswinkel: 10°
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 100mA
Produktpalette: GaAlAs Double Hetero IR Diode
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anstiegszeit: 20ns
SVHC: To Be Advised
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.