TSM011NM03LCR RGG

TSM011NM03LCR RGG Taiwan Semiconductor Corporation


pdf.php?pn=TSM011NM03LCR
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 30V, 120A, SINGLE, N-CHANNEL LOW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4378 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.09 грн
10+85.68 грн
100+58.04 грн
500+43.37 грн
1000+41.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM011NM03LCR RGG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: 30V, 120A, SINGLE, N-CHANNEL LOW, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 96W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4378 pF @ 15 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції TSM011NM03LCR RGG за ціною від 34.74 грн до 145.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TSM011NM03LCR RGG TSM011NM03LCR RGG Виробник : Taiwan Semiconductor pdf.php?pn=TSM011NM03LCR MOSFETs 30V, 120A, Single, N-Channel Low Voltage MOSFETs
на замовлення 4484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.85 грн
10+91.34 грн
100+53.32 грн
500+42.62 грн
1000+37.23 грн
5000+34.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TSM011NM03LCR RGG TSM011NM03LCR RGG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=TSM011NM03LCR Description: 30V, 120A, SINGLE, N-CHANNEL LOW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4378 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.