Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TSM018NB03CR RLG
TSM018NB03CR RLG

TSM018NB03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation

TSM018NB03CR_A1910.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 29A/194A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 194A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7252 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+51.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM018NB03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET N-CH 30V 29A/194A 8PDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 194A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 29A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7252 pF @ 15 V.

Інші пропозиції TSM018NB03CR RLG за ціною від 48.52 грн до 176.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TSM018NB03CR RLG TSM018NB03CR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM018NB03CR_A1910.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 29A/194A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 194A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7252 pF @ 15 V
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+174.96 грн
10+108.60 грн
100+74.15 грн
500+55.74 грн
1000+54.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TSM018NB03CR RLG TSM018NB03CR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor TSM018NB03CR_A1910.pdf MOSFETs 30V, 194A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+176.67 грн
10+122.18 грн
100+72.94 грн
250+72.31 грн
500+58.12 грн
1000+57.01 грн
2500+48.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TSM018NB03CR RLG TSM018NB03CR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm018nb03cr_a1910.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 194A 8-Pin PDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.